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加快打造原始創(chuàng)新策源地,加快突破關(guān)鍵核心技術(shù),努力搶占科技制高點(diǎn),為把我國建設(shè)成為世界科技強(qiáng)國作出新的更大的貢獻(xiàn)。

——習(xí)近平總書記在致中國科學(xué)院建院70周年賀信中作出的“兩加快一努力”重要指示要求

面向世界科技前沿、面向經(jīng)濟(jì)主戰(zhàn)場、面向國家重大需求、面向人民生命健康,率先實(shí)現(xiàn)科學(xué)技術(shù)跨越發(fā)展,率先建成國家創(chuàng)新人才高地,率先建成國家高水平科技智庫,率先建設(shè)國際一流科研機(jī)構(gòu)。

——中國科學(xué)院辦院方針

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碲化鉍基塑性熱電材料研究取得進(jìn)展

發(fā)布時(shí)間:2025-09-26 【字體: 】【打印】 【關(guān)閉

碲化鉍(Bi2Te3)基熱電材料涵蓋Bi2Te3以及其與Bi2Se3Sb2Te3所形成的贗二元固溶體,在固態(tài)制冷、精準(zhǔn)控溫和局域熱管理等方面已實(shí)現(xiàn)廣泛商業(yè)應(yīng)用。但是,Bi2Te3基材料本征為脆性,外力作用下極易發(fā)生解理破碎,嚴(yán)重限制了其在柔性/微型電子等領(lǐng)域的應(yīng)用。前期,中國科學(xué)院上海硅酸鹽研究所通過兩類本征反位缺陷(BiTeTeBi)的互相作用在單晶中引入高密度/多樣化微結(jié)構(gòu),創(chuàng)新性地實(shí)現(xiàn)了Bi2Te3晶體從脆性至塑性的轉(zhuǎn)化(Science 2024)。然而,Bi2Se3Sb2Te3晶體,及其與Bi2Te3形成的贗二元固溶體的力學(xué)性能及形變能力尚未報(bào)道,它們是否具有類似Bi2Te3單晶的塑性特性也未可知。

最近,上海硅酸鹽所仇鵬飛研究員、史迅研究員和明辰副研究員聯(lián)合國科大杭州高等研究院揭示了Bi2Se3Sb2Te3的本征缺陷-微結(jié)構(gòu)-力學(xué)性能映射關(guān)系,確定了Bi2(Te,Se)3(Bi,Sb)2Te3贗二元固溶體兼具良好塑性和優(yōu)異熱電性能的化學(xué)組分區(qū)間。相關(guān)成果以“Plasticity of Bi2Te3-family thermoelectric crystals”為題發(fā)表于Nature Communications (2025) 16:5190。國科大杭州高等研究院碩士生李澤和鄧婷婷副研究員為論文的共同第一作者。

研究團(tuán)隊(duì)利用溫度梯度法合成了Bi2Te3Bi2Se3Sb2Te3晶體。與Bi2Te3晶體不同,Bi2Se3Sb2Te3晶體均表現(xiàn)為脆性,其在面內(nèi)方向三點(diǎn)彎曲最大應(yīng)變量< 3%,遠(yuǎn)低于Bi2Te3晶體(>20%)。透射電鏡表征發(fā)現(xiàn)Bi2Te3晶體中存在交錯(cuò)層、漣漪、層錯(cuò)等高密度/多樣化微結(jié)構(gòu),而Bi2Se3Sb2Te3晶體中原子排列非常規(guī)整。這種微結(jié)構(gòu)的差異來自于Bi2Te3Bi2Se3Sb2Te3不同的本征缺陷特征。理論計(jì)算發(fā)現(xiàn),Bi2Te3中兩種反位缺陷BiTeTeBi的缺陷形成能相等時(shí),其數(shù)值僅為0.6 eV,導(dǎo)致Bi2Te3晶體中可同時(shí)存在高濃度BiTeTeBi反位缺陷,進(jìn)而形成高密度/多樣化的微結(jié)構(gòu)。Bi2Se3中反位缺陷BiSeSeBi缺陷形成能相等時(shí)的數(shù)值較高(~1.3eV),反位缺陷難以同時(shí)大量存在;Sb2Te3中反位缺陷SbTeTeSb的缺陷形成能相等時(shí)的數(shù)值雖然也較低(~0.6 eV),但其出現(xiàn)在極富Te區(qū),在實(shí)驗(yàn)上難以實(shí)現(xiàn)。因此,Bi2Se3Sb2Te3晶體中未觀測(cè)到高密度/多樣化微結(jié)構(gòu),材料表現(xiàn)出脆性特征。

Bi2Te3中固溶SbSe將改變其本征缺陷特征,進(jìn)而影響微結(jié)構(gòu)、力學(xué)性能和熱電性能。研究團(tuán)隊(duì)合成了系列Bi2(Te,Se)3(Bi,Sb)2Te3固溶體。室溫力學(xué)性能測(cè)試表明,隨著SbSe固溶量增加,晶體塑性逐漸減弱。當(dāng)Sb固溶量低于70%Se固溶量低于20%時(shí),晶體表現(xiàn)出類似于Bi2Te3的優(yōu)良塑性,沿面內(nèi)方向最大彎曲應(yīng)變量≥10%透射電鏡表征發(fā)現(xiàn)具有塑性的Bi2(Te,Se)3(Bi,Sb)2Te3晶體中也存在高密度/多樣化微結(jié)構(gòu),進(jìn)一步證明其與塑性的密切關(guān)聯(lián)。熱電性能測(cè)試發(fā)現(xiàn)Sb固溶可以顯著提高Bi2Te3晶體的空穴濃度,而Se固溶可以將主要載流子從空穴轉(zhuǎn)變?yōu)殡娮印Ec此同時(shí),固溶SbSe均可有效降低晶格熱導(dǎo)率。綜合力學(xué)性能與熱電性能測(cè)試結(jié)果,繪制了Bi2(Te,Se)3(Bi,Sb)2Te3晶體的組分-塑性-導(dǎo)電類型-熱電性能關(guān)系圖。當(dāng)Sb固溶量0≤y<0.7時(shí),晶體同時(shí)具有p型導(dǎo)電行為,優(yōu)良塑性和高熱電性能,其層內(nèi)方向三點(diǎn)彎曲最大應(yīng)變量≥10%,功率因子PF≥20 μW cm?1K?2,熱電優(yōu)值zT≥0.6

該研究拓寬了Bi2Te3塑性無機(jī)熱電材料研究范疇,同時(shí)深化了對(duì)熱電材料缺陷-微結(jié)構(gòu)-力學(xué)性能映射關(guān)系的理解,對(duì)于指導(dǎo)新型高性能塑性無機(jī)熱電材料的研究具有重要價(jià)值。

該研究得到了國家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃、國家自然科學(xué)基金、中國科學(xué)院穩(wěn)定支持基礎(chǔ)研究領(lǐng)域青年團(tuán)隊(duì)計(jì)劃的支持。

論文鏈接:https://doi.org/10.1038/s41467-025-60465-2

1 Bi2(Te1-xSex)3(Bi1-ySby)2Te3晶體的室溫組分-塑性-導(dǎo)電類型-熱電性能關(guān)系

2 Bi2Te3Bi2Se3Sb2Te3的缺陷形成能及Bi2Te3中由兩種反位缺陷誘導(dǎo)形成的不同尺度微結(jié)構(gòu)的形成能